O transceptor consiste em duas seções: A de alto desempenho, um laser DFB de 1270 nm. Transmissor e PIN de alta sensibilidade integrados a um TIA. Receptor.
O módulo pode ser conectado a quente no conector de 20 pinos. A interface elétrica de alta velocidade é baseada em lógica de baixa tensão, com impedância diferencial nominal de 100 Ohms e CA acoplada no módulo. A saída óptica pode ser desabilitada pela entrada lógica LVTTL de alto nível de TX_Disable. A saída de perda de sinal (RX_LOS) é fornecida para indicar a perda de um sinal óptico de entrada do receptor. O pino RATE_SELECT do receptor não é usado pelo transceptor.
Uma interface de 2 fios (SCL, SDA) é usada para ID serial, diagnóstico digital e outras funções de controle/monitor.
● Conectável a quente
● Interface óptica serial de 10 Gb/s
● Laser CWDM DFB e receptor PIN
● Até 10 km em SMF 9/125um
● Pacote SFP+ MSA com conector LC duplex
● Interface de 2 fios para monitoramento de gerenciamento e diagnóstico
● Interface Elétrica de Alta Velocidade SFI
● EMI muito baixa e excelente proteção contra ESD
● Fonte de alimentação única de +3,3 V
● Consumo de energia inferior a 1,0 W
● Temperatura da caixa operacional: -40~+85℃
● Aplicação de repetidor óptico LTE, outros links ópticos
● Base 10G - LR/LW
● Outros links ópticos
● Compatível com SFF-8431 e SFF-8432
● Compatível com SFF-8472 Rev 10.2
● Compatível com IEEE 802.3ae 10GBASE-LR e 10GBASE-LW
● Compatível com RoHS
Parâmetro | Símbolo | Mínimo | Máx. | Unidade |
Temperatura de armazenamento | TST | -40 | +85 | ℃ |
Tensão de alimentação | VCC3 | 0,0 | +3,6 | V |
Umidade relativa | RH | 5 | 95 | % |
Parâmetro | Símbolo | Min. | Máx. | Unidade | |
Temperatura de armazenamento | TST | -40 | +85 | ℃ | |
Temperatura operacional | X=1 | TIP | 0 | +70 | ℃ |
X=2 | -40 | +85 | |||
Tensão de entrada | TCC | 0 | +3,6 | V |
Parâmetro | Símbolo | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade |
Taxa de data |
|
| 10.3125 |
| GB/s |
Tensão de alimentação | VCC | +3,14 | 3.3 | +3,47 | V |
Corrente de fornecimento | ICC |
|
| 300 | mA |
Dissipação de energia | PD |
| 800 | 1000 | mW |
Temperatura operacional | TOP | -40 | 25 | +85 | ℃ |